巨磁电阻(GMR)材料可应用于弱磁场高灵敏度磁传感器。
由于磁场变化对普通金属只会造成远远不到百份之一的电阻变化，这种现象被称为“巨磁电阻”或巨磁阻GMR。
巨磁电阻的产生是因为每一个电子带有一个特定方向的自旋。
巨磁电阻效应的发现者获得2007年诺贝尔物理学奖。
本文综述了金属磁*颗粒膜中巨磁电阻效应的自旋相关散*机制和影响因素
上世纪代末，他在磁金属材料的“巨磁电阻”效应方面取得开创*的成果，IBM在此基础上开发出自旋阀读写磁头，使硬盘的数据存储密度增长了上千倍。
在以往的电子输运过程中，人们仅需要考虑电子作为电荷的载体，但在巨磁电阻效应中，电子不仅是电荷的载体，而且具有自旋。
巨磁电阻(GMR)效应使这样一个驱动器的直径不到一英寸，检测在便携式电子设备中存储数据的微小的磁场。
这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异*，从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。
