等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。
目前，刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术，干法刻蚀设备亦成为关键设备。
对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。
应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.
硅片的一部分经掩膜后进行sf6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。
与传统湿法腐蚀比较，干法刻蚀具有各向异*、对不同材料选择比差别较大、均匀*与重复*好、易于实现自动连续生产等优点。
在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。
列举一些对本技术发展带有突破*意义的里程碑，并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。
