纳管能传送的电流比击穿普通电子互连器的电流大100倍。
本文叙述了一种感应分流器和电流比较仪的绝对校验方法。
极化曲线外推法和电化学阻抗研究都表明纳米晶铜的腐蚀电流比微米晶铜高，而极化电阻要低。
主电路采用双管双正激拓扑结构，采用了逐脉冲电流比较控制技术和软开关技术。
研究中发现腐蚀电流与氧化膜中存在的缺陷数量成正比，因此，氧化膜的孔隙率可以用有膜和无膜金属腐蚀电流比值表达。
仪器使电流比较仪处于零磁通工作状态，再利用互感器校验仪的测差原理测试被检电流互感器的误差，从而使互感器校验仪具有比较仪检定功能。
由于等离子体中心区域自举电流比较小，为了满足等离子体平衡要求，非感应电流驱动是必不可少的。
奈米晶矽薄膜电晶体，不但保有目前非晶矽薄膜技术的优点可以在低温(250℃下大面积及高速率成长，最重要的是其具有较高载子场效迁移率以提升驱动电流及增加开关电流比。
研究了一种新型直流电流比较仪，它包括两个环节：双向自饱和磁放大器和双铁芯自饱和磁放大器。
