对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。
应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.
锑化铟既作霍尔元件测量了磁感应强度，又作磁敏电阻研究了其阻值随磁场的变化规律。
为了获得高质量的晶体，需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。
锑化铟红外焦平面探测器将要在寿命周期中于室温到77K的温度范围内工作几千次。
本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法，并通过大量的实验*实了这种方法的可行*。
英国伦敦大学帝国学院的柯恩和已过世的史崔德林，在制作超薄的高迁移率锑化铟薄膜上，曾有莫大的进展。
