随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。
但对量子阱线中带电激子体系的研究很少，所以本文主要研究量子阱线中带电激子的*质。
研究了抛物阱中极化子效应对激子的影响。
本文研究压电晶体中强耦合激子的*质。
采用线*组合算符方法研究了半导体量子点中弱耦合激子的*质。
采用线*组合算符和护格朗日乘子法，导出了强耦合情况下的压电激子的有效哈密顿量，得到了强耦合激子的重正化质量。
随着*散的加强，激子的有效质心质量、有效约化质量增大，电子-空穴有效作用势的屏蔽半径变短。
所以，双极化子和三重态激子的碰撞将有助于提高聚合物的发光效率。
这说明该模型也适用于对量子环中激子的束缚能和PL谱等物理*质的研究。
