由于背抛光面对受光面入*光的反*，使得少子产生率和受光面表面光电压都高于单面抛光片。
本文报导了一种液体探针表面光电压微分谱测量方法。
测定了七种四苯基卟啉化台物制成的薄膜电极的光电压和光电流及其固体粉末的表面光电压谱。
对其进行了透*电镜(tem)、X*线粉末衍*(XRD)，场诱导表面光电压谱表征(FISPS)。
单光束表面光电压谱仪，当光源强度随时间发生漂移时，必然产生结果误差。
本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法，采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响；
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污，表面光电压（SPV）法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。
