点缺陷是最基本的也是最重要的一类晶格缺陷,材料中或多或少的都存在一定浓度的点缺陷。
分流电阻表示由于沿电池边缘的表面漏流或晶格缺陷造成的损耗。
认为该谱是由ntp自由基和晶格缺陷中的陷落电子两部分谱线迭加而成。
降低镀层的内应力,改善晶格缺陷、杂质、空洞、瘤子等,容易得到无裂纹的镀层,减少添加剂。
点缺陷是最基本的也是最重要的一类晶格缺陷,材料中或多或少的都存在一定浓度的点缺陷。
分流电阻表示由于沿电池边缘的表面漏流或晶格缺陷造成的损耗。
认为该谱是由ntp自由基和晶格缺陷中的陷落电子两部分谱线迭加而成。
降低镀层的内应力,改善晶格缺陷、杂质、空洞、瘤子等,容易得到无裂纹的镀层,减少添加剂。