图示出了最常用的边缘检测掩膜形式。
将带有微小分立图样的掩膜放在晶片上并曝光。
左图是一套AppliedTetraIII高级掩膜蚀刻系统，如果掩膜板制造商要开发和生产45纳米的掩膜，就必须得使用这套设备。
在同步辐*X*线光刻中，由于掩模的初始张应力和掩膜的非均匀受热将使掩模产生热畸变。
而试图将焊料吸出通孔，又可能导致通孔、焊接掩膜或pcb的损坏。
掩膜板上图形的像被投影到许多厘米以外的涂有抗蚀剂的片子上。
上图显示的即为一块光掩膜，它上面印的图案会被印到晶圆上。
硅片的一部分经掩膜后进行sf6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。
焊料掩膜逸出气体对可焊*具有负面影响，等离子清洗能够有效地去除有机物杂质。
按照顺序从每一块掩膜版上将图形一层一层地转移到硅片的表面，就制得了成品集成电路。
这里提出的结构解决了这个问题，它利用标准cmos晶体管来实现非易失*存储器，这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。
使用二次曝光法或相位掩膜法制作的相移光纤光栅，可在光纤光栅阻带中打开一个狭窄的透*窗口，窗口位置可以随著相移量的大小发生改变。
采用线*电位扫描和电化学交流阻抗等电化学测量技术，对高深宽比掩膜条件下微电铸镍的电极反应动力学过程进行了初步研究。
通过*与试验，设计了脉冲固体激光掩膜加工器的电源电路及控制系统，并详细地分析了它的工作原理。
