电极强度高于晶片电阻。
GB/T6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
深圳赛格电子市场的一个铺位,用马天尼杯展示晶片电阻。
接着,进行其它后续步骤以完成金属箔芯片电阻器的制作。
本发明的高分子PT C芯片电阻低、电*能稳定,且机械*能好,易加工,综合*能优良。
电极强度高于晶片电阻。
GB/T6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
深圳赛格电子市场的一个铺位,用马天尼杯展示晶片电阻。
接着,进行其它后续步骤以完成金属箔芯片电阻器的制作。
本发明的高分子PT C芯片电阻低、电*能稳定,且机械*能好,易加工,综合*能优良。