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简述了半导体光催化氧化法的原理。
减小探测光输入功率,选取短波长探测光波长,增加半导体光放大器的腔长和模场限制因子以及大的偏置电流可提高转换光消光比;
半导体光催化技术由于其在净化环境方面的优异*能而受到广泛关注。
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