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利用薄膜的暗电导和激活能对硅薄膜的电学特*进行了表征。
测定薄膜的暗电导与温度间的关系,发现薄膜的电导激话能为各向异*。
随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.
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