1、而且,发现在样品中的深辐*能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。
2、不同预烧温度所制备的CCTO薄膜,经快速热退火处理后,其介电损耗值较小,基本在0.1~0.35之间。
3、本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火(RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特*。
4、研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响,对其光致发光峰强进行了拟合计算。
1、而且,发现在样品中的深辐*能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。
2、不同预烧温度所制备的CCTO薄膜,经快速热退火处理后,其介电损耗值较小,基本在0.1~0.35之间。
3、本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火(RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特*。
4、研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响,对其光致发光峰强进行了拟合计算。