1、孪晶由孪晶过程形成的。用于晶体。
2、再结晶晶粒的生长速度与再结晶驱动力成正比，再结晶驱动力取决于晶界能和位错密度。
3、凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
4、电极强度高于晶片电阻。
5、结果表明：平行于晶界方向的压应变可以促进晶界在相邻晶界交互作用下发生迁移；垂直于晶界方向的压应变则不能对晶界迁移产生明显的效果。
6、单轴晶体的有一个方向的，沿此方向不发生光的双折*。用于晶体。
7、总结来说，本文*实乾膜光阻适用于晶圆级高频覆晶封装制程。
8、关于晶面结构各向异*对晶体生长影响的研究已有新的内容；
9、穿晶裂纹源于晶内形变损伤区，其扩展机制为沿滑移面的剪切断裂。
10、氧在粘结底层和基体中的扩散是以晶界扩散为主，晶界扩散系数远远大于晶内的扩散系数。
11、晶核的生成速度大于晶核成长速度的程度越大，镀层结晶越细致、紧密。
12、从材料的多晶体结构角度，基于晶体塑*变形理论建立了多晶体模型。
13、由于晶核剂的补充加入，使烧结微晶玻璃的显微结构得到调整，并有利于提高强度*能。
14、辐*传感器依赖于晶体材料，长株潭。
15、对于晶格振动通常是这样。
16、压应力主要来源于晶格失配和热失配。
17、它的发生是由于晶状体囊的后部——在手术当中为了用于支撑人工晶体而未被摘除的晶状体部分——变得浑浊，从而损害您的视力。
18、误差分析表明，本注释方法不但适用于晶带轴平行于扫描电镜光轴的情况，而且适用于晶带轴倾斜于光轴的情况。
19、对于晶核中心的*质和作用还作了讨论。
20、在垂直于晶须生长方向上没有层错的存在。
21、他似乎是对树木作关于晶体的奇妙习*的发言。
22、KDP晶体的表面及界面结构对于晶体的生长及缺陷的形成具有重要影响。
23、多个导电区块形成于晶体管板上，且分别与每一薄膜晶体管电*连接。
24、通过分析研究，作者认为晶体生长过程中，介于晶体相与环境相之间的界面相起着重要的作用；
25、由于晶粒细化和再结晶结果，基本得到强化，提高了球墨铸铁的综合*能。
26、介绍一种高精度数学晶闸管触发器，它基于锁相环同步，适用于双反星形整流电路，并已成功地应用于晶闸管弧焊电流微机控制系统。
27、基于晶体场理论，系统地给出了铁族离子32个点群的晶场势，并研究了坐标系取法不同时晶场势的变化。
28、80年代初期,在基于晶体管的结构上发展了更大功率的可关断晶闸管(GTO),到90年代初,绝缘栅双极晶体管(IGBT)的功率则更大。
29、不仅记录了晶体细胞膜上多种通道活动，还测量了不同种属晶体上皮细胞的静息膜电位和膜电容，以及位于晶体内不同深度的晶体纤维细胞间的缝隙连接电阻。
