随着集成电路工艺制程进入超深亚微米甚至纳米级,集成电路的功耗问题显得日益突出。
然而,利用标准的集成电路工艺实现高Q值的片上可变电容是非常困难的。
与试验设计方法相结合,提出了一个用于集成电路工艺实时统计分析的方法。
其中硅基锗量子点器件因其制备工艺与成熟的大规模集成电路工艺的兼容*而更加受到人们的重视。
我自己翻译了一遍 还希望老鸟帮助 一下是中文:功率MOS场效应晶体管是在MOS集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力开关器件。
巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容*而在传感器等工程领域具有广阔的应用前景。