問題詳情：
ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題。
(1)S單質的常見形式爲S8，其環狀結構如圖所示，S原子採用的軌道雜化方式是________。
(2)原子的第一電離能是指氣態電中*基態原子失去一個電子轉化爲氣態基態正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序爲________。
(3)Se原子序數爲____________，其核外M層電子的排布式爲________。
(4)H2Se的**比H2S________(填“強”或“弱”)。氣態SeO3分子的立體構型爲__________，SO
的立體構型爲________。
(5)H2SeO3的K1和K2分別爲2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2爲1.2×10－2，請根據結構與*質的關係解釋：
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大於第二步電離的原因：________________________________________；
②H2SeO4比H2SeO3**強的原因：__________________________ ______________。
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、塗料、顏料等行業中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示，其晶胞邊長爲540.0 pm，密度爲______g·cm－3(列式並計算)，a位置S2－與b位置Zn2＋之間的距離爲______pm(列式表示)。
【回答】
解析 (1)每個S原子與另外2個S原子形成2個共價單鍵，所以S原子的雜化軌道數＝σ鍵數＋孤對電子對數＝2＋2＝4，故S原子爲sp3雜化。
(2)同主族元素從上到下，元素的第一電離能逐漸減小，故第一電離能O>S>Se。
(3)Se位於第四周期，與S的原子序數相差18，故其原子序數爲34。由於其核外M層有18個電子，故M層的電子排布式爲3s23p63d10。
(4)Se的原子半徑大於S的原子半徑，H2Se與H2S相比，H2Se中Se原子對H原子的作用力較弱，H2Se在水中更容易電離出H＋，所以其**較強；SeO3中Se原子採取sp2雜化且有3個配位原子，故其立體構型爲平面三角形；SO
中S原子採取sp3雜化且有3個配位原子，故其立體構型爲三角錐形。
(5)所給兩種*均爲二元*，當第一步電離出H＋後，由於生成的*離子對正電荷有吸引作用，因此較難再電離出H＋。H2SeO3中Se爲＋4價，而H2SeO4中Se爲＋6價，Se的正電*更高，導致Se—O—H中O原子的電子向Se原子偏移，因而在水分子的作用下，也就越容易電離出H＋，即**越強。
(6)每個晶胞的質量爲(540.0×10－10cm)3×ρ；運用均攤法可求得每個晶胞中含有4個“ZnS”，故每個晶胞的質量又可表示爲
×4 g。因此有：
(540.0×10－10cm)3×ρ＝
×4 g，
解得ρ＝4.1 g·cm－3；
如圖所示，b位於正四面體的中心(類似於CH4分子中的C)。
設ab＝ac＝x pm，∠abc＝109°28′，
ac＝
×540.0 pm＝270
pm。
在三角形abc中，由余弦定理得：
ac2＝x2＋x2－2x·x·cos∠abc，
代入數據解得：x＝
pm。
* (1)sp3
(2)O>S>Se
(3)34 3s23p63d10
(4)強 平面三角形 三角錐形
(5)①第一步電離後生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的*離子
②H2SeO3和H2SeO4可表示爲(HO)2SeO和
(HO)2SeO2，H2SeO3中的Se爲＋4價，而H2SeO4中的Se爲＋6價，正電*更高，導致Se—O—H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H＋
(6)
＝4.1 
或
或135
知識點：物質結構 元素週期律單元測試
題型：填空題
