速率依賴於，翻越勢壘。
利用該結果分別研究了拋物線型單勢壘情況、方型雙勢壘情況、拋物線型雙勢壘情況以及置於外場中的雙勢壘情況。
不同的溫度勢壘高度和潛能
其中順式反應途徑的勢壘較低。
但是由於較高的庫侖勢壘和離心勢壘，豐質子輕核比較難以形成質子暈結構。
當勢壘厚度勢壘高度子阱厚度間隔層厚度摻雜濃度改變時，可以觀察到DBRTD直流特*也隨之改變
最後，本文采用疊加勢壘模型對晶界電子勢壘的特*進行了很好的描述。
採用梯形勢壘模型計算伏安特*，並與實驗伏安特*擬合，得到了結的有效勢壘參數www
這個機率與勢壘區內的量子波振幅有關。
計算了退火前後該器件的理想因子勢壘高度
結果表明：溝道勢壘直接取決於溝道過夾斷因子；
計算結果表明，對於兩對稱方勢壘夾一個任意形狀勢阱的位勢，也可能存在諧振隧穿現象。
在近表面單晶層上作成了*能良好的肖特基接觸，其勢壘高度約爲。
金屬中的電子必須克服這個勢壘層才能進入半導體。
研製了三類不同金屬和III族氮化物接觸的肖特基勢壘二極管
本文提出一種能在毫米波很好工作的三端半導體器件—異質結勢壘控制飛的電子晶體管（簡稱勢壘飛越晶體管）。
在該模型的基礎上，討論了勢壘、陽極結的電勢降落和電流的放大因子等電參數的變化。
基於相位時間和隧穿時間的定義計算了電子穿過方形勢壘的相互作用時間，在此基礎上設計一個實驗嘗試研究電子隧穿方形勢壘的相互作用時間。
用單載流子器件模擬表明ITO經高頻放電處理後降低了器件介面的空穴注入勢壘。
本文報道了MIM隧道二極管的發光和負阻現象，用梯形勢壘計算了電流-電壓特*。
表面安裝肖特基勢壘二極管。最大峯值反向電壓常五，最大平均正向電流。
此法比k - P方法簡便易行，而且隨着勢壘寬度的增加，兩種方法所得結果趨於一致。
“這兩種振幅由勢壘分開，”莫漢蒂說。透過使用一雙與共振硅條相應的電脈衝以觸發電勢，這一組合便可以在兩種振幅之間轉換。
將這種方法應用到具體的非晶相絕緣體中，以材料的實際結構來構造雙勢壘模型，得到的結果與實驗相吻合。
介紹了TAB工藝，包括歷史演變，基本的引線鍵合結構，載帶及其製作，緩衝觸突與勢壘金屬層的製作以及內引線和外引線鍵合。
約瑟夫遜結是由兩塊超導體間夾一層很薄的勢壘區構成的，但是仍能發現由電流以某一特殊方式穿過。
把薛定諤方程的散*態和駐波態聯繫起來，發展了一種用來求解一些偶對稱勢壘透*係數的數值方法
在正統理論的基礎上 ，提出了單電子三勢壘隧穿結模型的主方程 ，並用線*方程組解法求出了其穩態解 。
