圖示出了最常用的邊緣檢測掩膜形式。
將帶有微小分立圖樣的掩膜放在晶片上並曝光。
左圖是一套AppliedTetraIII高級掩膜蝕刻系統，如果掩膜板製造商要開發和生產45納米的掩膜，就必須得使用這套設備。
在同步輻*X*線光刻中，由於掩模的初始張應力和掩膜的非均勻受熱將使掩模產生熱畸變。
而試圖將焊料吸出通孔，又可能導致通孔、焊接掩膜或pcb的損壞。
掩膜板上圖形的像被投影到許多釐米以外的塗有抗蝕劑的片子上。
上圖顯示的即為一塊光掩膜，它上面印的圖案會被印到晶圓上。
硅片的一部分經掩膜後進行sf6幹法刻蝕，從而使集流器能夠連接到外電路上。
焊料掩膜逸出氣體對可焊*具有負面影響，等離子清洗能夠有效地去除有機物雜質。
按照順序從每一塊掩膜版上將圖形一層一層地轉移到硅片的表面，就製得了成品集成電路。
這裏提出的結構解決了這個問題，它利用標準cmos晶體管來實現非易失*存儲器，這樣就不需要額外的掩膜或工藝步驟。
使用二次曝光法或相位掩膜法制作的相移光纖光柵，可在光纖光柵阻帶中打開一個狹窄的透*窗口，窗口位置可以隨著相移量的大小發生改變。
採用線*電位掃描和電化學交流阻抗等電化學測量技術，對高深寬比掩膜條件下微電鑄鎳的電極反應動力學過程進行了初步研究。
通過*與試驗，設計了脈衝固體激光掩膜加工器的電源電路及控制系統，並詳細地分析了它的工作原理。
