選區電子衍**實了sno2是多晶態.
電子衍*結果表明薄膜是非晶態的。
選區電子衍**實了SnO多晶態。
在整個實驗過程中，用反*高能電子衍*原位監測膜生長。
用電子衍*和高分辯電子顯微術研究了白雲鄂博礦。
僅由相重倒易點構成的倒易面所對應的電子衍*圖必定被基體的衍*斑點所覆蓋。
根據電子衍*理論，計算了這種相的結構因子並得出了其消光規律。
低能電子衍*儀(LEED)是研究單晶表面結構的有效工具。
對於電子衍*譜的高級勞厄帶斑點標定，提出一種新的方法。
拉曼光譜與高分辨率透*電鏡以及電子衍*的結果表明該納米線是碳化硅的單晶納米線
用透*電鏡選區電子衍*（TEM）方法測試了導模法生長的白寶石單晶體的晶體結構和點陣常數。
同時對TEM中的電子衍*分辨率指數進行了分析和討論，並給出了實際應用金單晶標樣精確標定TEM電子衍*相機長度的實驗方法。
單晶體的電子衍*花樣，就幾何*質而言，雖然它與落在反*球面上的所有倒格點所構成的圖形完全一致，但是一個衍*斑點卻不是由一個倒格點所產生
透*電子衍*花樣的變化表明在附近發生了相變，它的晶體結構參數明顯地變化
透*電子衍*花樣的變化表明在附近發生了相變，它的晶體結構參數明顯地變化。
使用了電子衍*、衍襯象、高分辨電子顯微術等方法，研究了珍珠和珍珠貝的形貌、晶粒大小和微結構。
本文利用電子衍*和矩陣分析方法探討了析出V_4C_3在馬氏體相變中的遺傳現象。
在280℃時非晶環附近出現電子衍*斑點以及明場像中出現少量析出相，表明回覆和再結晶開始。
一百對於兩相、孿晶及高級勞厄帶等複雜電子衍*譜的分析，提出了一套矩陣方法。
採用原子力顯微鏡（AFM）、掃描電子顯微鏡（SEM）和X*線電子衍*（XRD）對陽極氧化膜納米孔的形貌和結構進行表徵。
雖然阿西莫夫虛構的“正電子”大腦並不存在，但是正電子理論確確實實被應用於正電子衍*成像(PET)掃描技術上用來探索人類大腦。
本文報道了我國最近發現的硅硼鎂鋁礦晶胞參數、微雙晶結構的電子衍*分析，晶體缺陷和礦物高分辨點陣象的透*電鏡觀測結果。
利用差示量熱法（DSC）、透*電鏡（TEM）、選區電子衍*（SAED）、常規力學*能測試等手段研究了7B04鋁合金時效沉澱析出及強化行為。
通過反*高能電子衍*原位實時監測薄膜生長，結合原子力顯微鏡等表徵手段，分析了薄膜的表面微觀結構，確定了薄膜的生長模式。
本文敍述了採用電子順磁共振和電子衍*方法研究硼、氮離子注入金剛石後引起的結構特*變化。
本文對電孤放電和催化劑熱解碳*氣法制備的多層直形納米碳管的倒空間及其螺旋度，採用電子衍*進行了研究
還給出一些有高階勞厄區的電子衍*譜的實例，圖上零階和高階的各班點指數均由計算機自動標定。
