高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
为了减小小尺寸mos器件的短沟道效应,采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,.并且不产生短沟道效应。
高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
为了减小小尺寸mos器件的短沟道效应,采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,.并且不产生短沟道效应。