MRAM Magnetic Random Access Memory
There is still a long way to go before MRAM is ready for prime time.
Study of the Magnetic Sandwich and Its Application Characteristics for MRAM Devices;
IBM, collaborating with Germany's Infineon Technologies, has developed a one megabit (million bit) MRAM chip at its laboratories in East Fishkill, New York.
在MRAM儲存器達到萬事齊備、只欠東風之前還有一段很長的路要走。
據兩家公司的聯合宣告稱，MRAM是一種非易失*儲存技術，它具備速度極快和耗電量低的優點。
磁*隨機存取儲存器(MRAM)的執行是通過在兩層晶片上蝕刻十字交叉形導線格柵——橫向導線在垂直導線之下。
有些公司現在已經對發展MRAM躊躇不前，他們估計另一種形式的隨機存取記憶體不太可能會賺大錢。
IBM與德國英飛凌技術公司合作，在其位於紐約東費什基爾的實驗室開發出一塊1兆(百萬位)MRAM晶片。
第一代MRAM的資料寫入方式主要是嚮導線中通電使其周圍產生磁場，從而改變鄰近的儲存單元的磁化程度。
多年以來，無數MRAM及其它多種所謂的“下一代儲存技術”的開發廠商曾多次在各種場合鼓吹稱他們研發的技術將會取代其它各種現有的儲存產品，實現儲存市場“天下大一統”的目標，“你們信不信，反正我信”云云。
