在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方...

问题详情：

在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界*出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（　　）

A．在电场中的加速度之比为1：1

B．在磁场中运动的半径之比为：1

C．在磁场中转过的角度之比为1：2

D．离开电场区域时的动能之比为1：3

【回答】

BCD

知识点：磁场对运动电荷的作用力

题型：多项选择