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运用本发明,可有效地降低公知低温多晶硅薄膜晶体管的热电子效应,使得低温多晶硅薄膜晶体管在工作时的稳定*能够有明显的改善。
Kim称:“我们现在已经可以在6G尺寸级别的基板上应用低温多晶硅技术。
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