实验发现,ga薄层的引入完全抑制了导致zno薄膜品质下降的旋转畴和倒反畴的形成。
在微生物组织方面的改变导致了这种组织薄层的缩减。
此心轴溶化之后,在推进剂表面上留有一薄层的合金。
具有二氧化硅类玻璃薄层的无机基底,制备前述基底的方法,涂布剂和半导体器件。
实验发现,ga薄层的引入完全抑制了导致zno薄膜品质下降的旋转畴和倒反畴的形成。
在微生物组织方面的改变导致了这种组织薄层的缩减。
此心轴溶化之后,在推进剂表面上留有一薄层的合金。
具有二氧化硅类玻璃薄层的无机基底,制备前述基底的方法,涂布剂和半导体器件。