绝缘介质层的二次电子发*，使放电电流增大。
溅出材料的形态可能是二次离子、原子及二次电子。
该解析表达式表明，平衡电位值会随二次电子产额和二次电子的最可几出*能量而增大。
讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法。
模拟计算表明，在法拉第圆筒的基础上加上电场抑制，能很好地抑制二次电子流的产生。
而在放电功率升高的过程中，离子轰击*极产生二次电子发*效应导致了光发*谱强度急剧增强的转变。
推导出高能原电子斜入*时的金属的有效真二次电子发*系数的表达式，它与入*角的余弦近似成反比。
在此基础上，对复合腔回旋管进行了大信号分析，计算了基波与二次电子回旋谐波情况下电子效率与一些参数的关系。
