它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
为了减小小尺寸mos器件的短沟道效应,采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,.并且不产生短沟道效应。
它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
为了减小小尺寸mos器件的短沟道效应,采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
其课题在于,针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管,提高二维电子浓度和电子迁移率,.并且不产生短沟道效应。